三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的存通认证测试，过英工作 来源：三星官方新闻 通过优化热管理工艺和先进的伟达硅通孔技术，相比上一代HBM3能效提升约20%。认证显著降低延迟。加速单颗容量达36GB，负载业内分析认为，部署将用于下一代AI加速器的存通关键内存栈。三星表示，过英工作目前三星已开始向英伟达批量供货，伟达此举将打破SK海力士在HBM市场的认证垄断格局，HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，加速该产品采用12层堆叠设计，负载数据传输速率高达9.6Gbps，部署预计下半年搭载于H200及后续GPU中。存通为全球AI芯片供应链提供更多选择。